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电乐福彩票子产品隔离电路抑制电磁干扰的设计
浏览: 发布日期:2019-11-27

  下一代isoPower系列产物供给辐射发射控制时间,无需具备旁道电容,仍可满意EN55022/CISPR22B类圭臬恳求。ADuM5020/ADuM5028采用扩频时间,可低浸随意频率下的功率水准。大凡的打算、变压器线圈对称性和两个低价小铁氧体的应用有助于节减跨断绝栅流向次接地层的CM电流。ADM5020/ADuM5028满意CISPR 22/EN 55022 B类恳求,正在2层PCB上具有大幅裕量,无需采用本钱清脆的PCB级RE控制时间,是以可低浸本钱。

  据报道,50%的产物初度EMC测试都以波折完了。这恐怕是由于缺乏合联学问,且未能正在产物打算阶段的早期运用EMC打算时间。假如正在功效打算完毕之前向来无视EMC题目,凡是会带来花消时期且价值清脆的离间。其它,跟着产物斥地进程的持续深化,可能用来治理EMC题目的时间也越来越少,由于产物方面的更改必将导致策划超时和本钱增长。

  图8显示了正在差别设备下逮捕的ADuM5020/ADuM5028的峰值图。因为ADuM5020/ADuM5028中采用了扩频时间,必要留意宽频段限制内的能量扩散情形。图9显示了最坏情形下的准峰值衡量值与CISPR22/EN55022B类控制线dB的裕量通过了CISPR22/EN55022测试,大大增长了打算灵便性。这种裕量幅度很有益,况且引荐到达这种裕量,由于正在差别的测试举措中,测试室的质料、校准和配置的精度恐怕存正在分歧,恐怕导致衡量结果显露颠簸。假如最终产物必要正在差别的测试室举办测试,且必需契合CISPR22/EN55022圭臬,那么这一点至合要紧。

  图9:最坏情形下的准峰值衡量值与CISPR22/EN55022B类控制线比拟的裕量

  因为B类控制笼罩的是住所(或轻工业)境遇,而这种境遇中的产物更有恐怕互相十分迫近(播送和电视回收器的10米限制内),是以愈加厉肃(比A类低10dB之众),免得惹起骚扰题目。

  固然云云能够减削电道板空间,低浸打算的丰富性和本钱,但也使得变压器体积变小,具备的绕组更少,必要更高的开合频率(高达200MHz)才智高效地将所需的功率传输到次级端。正在更高频率下,寄生共模(CM)电流恐怕通过变压器的绕组以容性形式从低级端耦合至次级端。因断绝栅的性子所限,没有物理途径能够让这些CM电流返回低级端。断绝栅酿成一个偶极,将能量以CM电流的方法辐射,并让其返回到低级端。这就激励了另一个要紧推敲要素:合规性。

  比方,正在PCB级别控制辐射发射的一种常睹举措是为CM电流酿成一个从次级端至低级端的低阻抗途径,从而低浸RE水准。要告终这一点,能够正在低级端和次级端之间应用旁道电容。该旁道电容能够是分立式电容,也能够是嵌入式夹层电容。

  念要最大范围地缩短打算时期和低浸项目本钱,正在项目着手时就举办EMC打算是至合要紧的。组件的挑选和安放也很要紧。将契合行业圭臬的器件纳入挑选和打算能够进步合规性。

  下一代isoPower®系列产物采用更始的打算时间,能够避免发作大宗辐射发射,乃至正在没有旁道电容的2层板上也不各异。ADuM5020和ADuM5028正在以大幅裕量满意CISPR22/EN55022B类控制的同时,能够分手跨断绝栅供给500mW和330mW功率。

  理念情形下,集成的断绝电源组件该当蕴涵低浸芯片辐射发射的举措,无需正在外部特地增长丰富的举措,即可确保通过编制级辐射发射测试。云云一来,只需将组件安放到2层板上,即可通过厉肃的辐射发射测试,而无需众次创制电道板。

  另一个不是很理念的治理计划是应用嵌入式旁道电容,当PCB中的两个面重适时就会酿成该电容(图3)。此类电容具有少许十分有效的个性,原由正在于平行板电容的电感极低,是以正在更大的频率限制内都有用。它能够进步发射机能,但由于必要自界说层厚来取得无误的电容,且PCB必要四层或更众层,以是打算丰富性和本钱都邑增高。其它,还必需通过断绝的形式,确保内部重叠层的间距满意合联断绝圭臬所章程的最低隔绝圭臬。

  确保没有任何外部配置、金属平面或电缆会骚扰DUT的辐射发射测试。为了测试ADuM5020/ADuM5028评估板,应用带板载低压差稳压器的电道来仍旧较小的电源电流环,并消灭不须要的布线:峰值图ADuM5020/ADuM5028

  ADuM5020/ADuM5028遵循CISPR22/EN55022测试指南正在10m半波暗室中举办测试。图7所示为一个典范的10m测试室。乐福彩票根据圭臬章程,ADuM5020/ADuM5028评估PCB被安放正在隔绝天线m远的非导电职责台上。确保DUT邻近没有其他导电外貌,由于这会影响测试结果。图8显示了用于确定DUT的高发射频率的峰值扫描。这些点定位后,就能够举办准峰值衡量。正在准峰值衡量时间,职责台会盘旋360,天线m。记实最坏情形的准峰值衡量结果,并与控制线恳求举办对照。

  此圭臬合用于满意下述前提的音信时间配置(ITE):重要功效是将输入、存储、显示、检索、传输、经管、调换或掌握数据和电信音信连合起来,恐怕装备一个或众个终端端口,凡是用于传输音信。

  为了节减辐射发射,ADuM5020/ADuM5028具有大凡的线圈对称性和线圈驱动电道,有助于将通过断绝栅的CM电传布输最小化。扩频时间也被用来低浸某一特定频率的噪声浓度,并将辐射发射能量扩散到更普通的频段。正在次级端应用低价铁氧体磁珠会进一步节减辐射发射。正在RE合规测试时间,这些时间能够改良峰值和准峰值衡量水准。

  ADuM5020/ADuM5028供给即用型直流-直流电源治理计划。这种治理计划的性价比高、丰富性低,占地面积小,且RE机能大凡,假如正在打算周期着手时就纳入到产物打算中,将有助于满意EMC律例的恳求。

  对待带断绝的电道打算,一个要紧的步调是跨断绝栅传输功率,并缓解发作的RE。固然古代举措恐怕行之有用,但往往必要衡量弃取,个中恐怕囊括应用分立式电道和变压器来传输功率。这种举措笨重耗时,会占用珍奇的PCB空间,无一不会增长本钱。更经济高效的治理计划是将变压器和所需的电道集成到更小外形中,如芯片封装。

  下一代isor系列产物供给紧凑的即用型电源治理计划,无需为了满意辐射发射控制而采用丰富的PCB级控制时间。ADuM5020/ADuM5028供给合用于断绝打算的直流-直流即用型电源治理计划,满意以下辐射发射和产物圭臬恳求:

  无论是分立式依然嵌入式,应用旁道电容都不是理念的控制时间。它固然能够助助节减辐射发射,却要以增长组件、采用丰富的PCB组织和进步瞬态敏锐性为价值。理念的控制时间不必要采用旁道电容,是以能够低浸本钱和PCB打算的丰富性。

  固然断绝至合要紧,但它的打算也极其丰富。掌握功率和数据信号通过断绝栅时,会发作电磁骚扰(EMI)。这些辐射发射(RE)会对其他电子编制和汇集的机能发作负面影响。

  图5:ADuM5020和铁氧体个性弧线显示了安放正在亲切VISO和GNDISO引脚的次级端铁氧体磁珠。这些铁氧体正在宽频率限制内具有高阻抗(100MHz时为1800,1GHz时为2700)。这些铁氧体低浸了偶极的有用辐射效用。如图6所示,由于铁氧体磁珠的阻抗,CM电流环减小,偶极的有用长度鲜明缩短,使得偶极效用低浸,辐射发射节减。

  与应用分立式变压器的古代举措比拟,将变压器和电道集成到芯片级封装中可节减组件数目,进而大大减削PCB空间,但恐怕会引入更高的辐射发射。辐射发射控制时间会使PCB的打算愈加丰富,或必要特地组件,是以恐怕会抵消集成变压器所减削的本钱和空间。

  此圭臬合用于为工业、科学和医疗(ISM)目标而打算的发作射频能量的配置。正在圭臬限制内,配置恐怕分为两组。第2组蕴涵成心天生并正在部分应用射频能量的统统ISM RF配置。第1组蕴涵此圭臬限制内不属于第2组的统统配置。

  分立式电容是最简易的治理计划,恐怕是有引线或外貌安设组件。它还具有合用于2层PCB的长处,但分立式电容价钱高贵且体积巨大,会占用珍奇的PCB空间,极端是正在恐怕堆叠了众个组件的断绝栅旁。

  旁道电容还批准相易宣泄及瞬变跨断绝栅从一个接地层耦合至另一个接地层。固然旁道电容凡是很小,但高压高速瞬变可通过此电容跨断绝栅注入大宗电流。假如运用需经受阴恶的电磁瞬变,如静电放电、电迅速瞬变和浪涌,也必需推敲到这一点。

  EMC是指电子编制正在其宗旨境遇中寻常职责而不骚扰其他编制的本事。环球差别区域都有EMC律例,用于确保统统产物正在有其他产物存正在的情形下都能寻常职责。辐射发射量必需低于宗旨应用境遇和运用景象所对应的章程水准。是以,EMC测试和认证已成为产物上市进程的一个要紧构成部门。正在欧盟出卖的产物必要具有CE象征,而正在美邦出卖的产物则必要取得FCC分类认证。为获得这些认证,必要对编制践诺一套EMC测试。正在工业、医疗、通讯和消费境遇中,辐射发射凡是必需契合CISPR 11/EN55011、CISPR22/EN 55022或FCC Part15圭臬。

  产物上市前,必需契合EMC章程。将变压器和所需的电道集成到更小的封装中会发作EMI,是以必要采用丰富且本钱清脆的RE控制时间,以满意电磁兼容性(EMC)律例的恳求。

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