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在恶劣的电机驱动环境中使用鲁棒的数字隔离器
浏览: 发布日期:2019-05-15

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  电机支配操纵中能够涌现高压瞬变或浪涌,此类浪涌的峰值能够抢先10,000 V,而上升期间仅有1.2 μs。光耦合器通过很厚的内部绝缘层来餍足浪涌护卫哀求。对付采用二氧化硅的数字远隔器,为使内部应力不致惹起毛病,可制成的绝缘厚度是有束缚的。采用聚酰亚胺的数字远隔器绝缘能够改观浪涌护卫才能,分为众层创修且总厚度为30 μm的聚酰亚胺绝缘业已外明分外有用。正在图8中,30 μm聚酰亚胺的浪涌测试结果剖明它分外鲁棒,能够耐受±20 kV峰值。

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  电动机编制对险些全体电厂的运转至闭首要,占全体电力的60%至70%。DOE还将变频驱动器(VFD)识别为不妨为

  外1中的远隔器对照显示了正在阴毒的电机操纵处境中,数字远隔器的机能优于光耦合器。对付搅扰电机支配的电压瞬变,光耦合器的抗扰度(CMTI)最小值唯有10 kV/μs,而数字远隔器的抗扰度要逾越很众倍。光耦合器及其LED老化题目使得其任务温度凡是以85°C为限,但数字远隔器的任务温度能够到达125ºC。本文解释了此类数字远隔器的任务道理,以及正在电机支配操纵中其优秀的性能何如胜过光耦合器。

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  从第一次工业革命劈头到现正在,工业规模发作了翻天覆地的改变,现正在及另日的工业将会特别智能化。

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  数字远隔器不应用LED,不存正在LED牢靠性题目。跟着工艺改革,绝缘层厚度和构成越来越优化,数字远隔器也就特别鲁棒。某些数字远隔器应用薄层二氧化硅来爆发高介电强度绝缘,这已广博用作半导体芯片上的绝缘体。二氧化硅绝缘的瑕玷是它与IC组成一个全部,IC受损时,远隔也能够受损。应用聚酰亚胺绝缘可降服二氧化硅的这种束缚,聚酰亚胺半导体工艺已应用数十年,可助助完成康健牢靠的集成电道。聚酰亚胺内部绝缘属于后期统治,具有独立的完全性。要是IC受损,独立的聚酰亚胺绝缘仍会完善无损。分众层创修时,聚酰亚胺可用作电机驱动操纵能够必要的加强绝缘。应用数字远隔器的工程师必要创修商供应全寿命数据,以外明器件的期间、温度、湿度和电压机能不妨应对庖代光耦合器的挑拨。

  基于这种需求,电机驱动及传动部门的成长使创修商能够通过内置的工夫来修设种种性能,这些工夫减小以至完整....

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  正在大型电机操纵中,当电机支配开闭电道正在桥电压中爆发步进改变时,远隔栅上的共模电压改变能够会爆发噪声。远隔器耐受此高压摆率电压瞬变且远隔器输出不受作对的才能,便是共模瞬变抗扰度(CMTI)。光耦合器的CMTI能够不是很高,由于其授与元件分外敏锐,易受容性耦合效应影响。光耦合器的容性耦合是一种单端组织,信号和噪声唯有一条旅途逾越远隔栅。这就哀求信号频率务必远高于预期的噪声频率,以便远隔栅电容对信号供应低阻抗,而对噪声供应高阻抗。当电机支配信号频率较低时(时时低于16 kHz),共模瞬变的高频因素会高于信号频率,其幅度能够足以搅扰光耦合器输出。窥探图6所示的基于变压器的数字远隔器,变压器有一个差分输入组织,其为输入信号和噪声供应了分歧的传输旅途,因而肯定具有更大的共模噪声抗扰度,并且不存正在光耦合器哀求信号频率高于噪声频率的束缚。改革的电气噪声抗扰度使得器件能正在高噪声处境下牢靠地任务。图7显示了电机支配开闭时期共模瞬变的高桥电压和疾速dV/dt的开闭噪声,数字远隔器务必能招架这种作对。示波器波形显示,对付开要害控架构的变压器耦合数字远隔器,要搅扰数据,从GND2到GND1的疾速共模瞬变(CMT)须高于150 kV/μs,并且远隔器输出受搅扰的期间分外之短,唯有戋戋3 ns。完成超高CMTI的要害正在于发送器务必陆续爆发差分载波信号,而且授与器务必具有很高的输入共模改变抗扰度。

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  光耦合器的瑕玷是要应用发光二极管(LED),其光强度会跟着期间推移和温度改变而低重,这就会带来打算和牢靠性题目。新型且更鲁棒的数字远隔器不应用LED,消亡了牢靠性题目,改观了绝缘才能,可与光耦合器相媲美。这种数字远隔器的上风是对高压瞬变的抗扰度更强,不妨更好地餍足电机支配操纵的哀求。本文将精确解释此类新型数字远隔器的任务道理,以及正在上述操纵中其优秀的性能何如胜过光耦合器。

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  一款供应4V至28V输入的完全1000 V/15mA远隔型反激式转换器

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  富昌电子推出基于电动汽车逆变器(EV Inverter)电机驱动整套计划

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  请问,光耦的饱和电压是什么趣味?按着三极管的对照,应当只是和IF,温度相闭,可是良众仿单上果然还提到了IC 推举课程...

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  。因为处境分外倒霉,操纵哀求不妨抵御高压瞬变,预防数据受扰,而且消亡高压电压力对远隔器远隔寿命的影响。此类操纵的样板远隔处理计划是

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